Як відрізнити транзистори PNP і NPN?

1, Основна структура PNP і NPN транзисторів
PNP-транзистори складаються з двох напівпровідникових матеріалів P-типу, що поміщають напівпровідниковий матеріал N-типу, утворюючи послідовність розташування "PNP". У цій структурі область P-типу служить емітером (E) і колектором (C), тоді як область N-типу служить основою (B). PNP-транзистори дозволяють струму протікати від емітера до колектора при прямому зміщенні (тобто напруга емітера вища за напругу бази, а напруга бази вища за напругу колектора).
На відміну від PNP транзисторів, NPN транзистори складаються з двох напівпровідникових матеріалів N-типу, що поміщають напівпровідниковий матеріал P-типу, утворюючи послідовність розташування "NPN". Тут область N-типу служить емітером і колектором, тоді як область P-типу служить базою. Транзистори NPN дозволяють струму протікати від емітера до колектора при прямому зміщенні (тобто напруга емітера нижча за напругу бази, а напруга бази нижча за напругу колектора).
2, Відмінності в принципах роботи
Коли база PNP транзистора позитивно зміщена відносно емітера, а колектор негативно зміщений відносно бази, дірки (носії позитивного заряду) у матеріалі P-типу емітера притягуються до області N-типу емітера. бази, утворюючи базовий струм. У той же час частина цих отворів буде перетинати базовий колекторний перехід і входити в область Р-типу колектора, утворюючи колекторний струм. Принцип роботи PNP транзисторів залежить від потоку та процесу рекомбінації дірок.
Принцип роботи транзисторів NPN заснований на потоці електронів (носіїв негативного заряду). Коли база NPN-транзистора позитивно зміщена відносно емітера, а колектор позитивно зміщений відносно бази, електрони в матеріалі N-типу емітера притягуються до області P-типу бази, де вони рекомбінують з отворами для формування базового струму. У той же час деякі з цих електронів перетинатимуть базовий колекторний перехід і потраплять в область колектора N-типу, утворюючи колекторний струм. NPN-транзистори досягають посилення струму та управління перемиканням через потік і рекомбінацію електронів.
3, Практичні методи розрізнення PNP і NPN транзисторів
Зверніть увагу на розташування штифтів
Хоча форми упаковки транзисторів від різних виробників можуть відрізнятися, загалом розташування контактів транзисторів PNP і NPN відповідає певним правилам. Для звичайних транзисторів у корпусі TO-92 розташування контактів транзисторів PNP зазвичай таке (зліва направо): емітер (E), база (B), колектор (C); Розташування контактів NPN транзисторів зазвичай таке (зліва направо): емітер (E), база (B), колектор (C). Однак це правило не є абсолютним, тому в практичних застосуваннях необхідно комбінувати інші методи для судження.
Виміряйте мультиметром
Мультиметр є одним із найбільш прямих і часто використовуваних інструментів для розрізнення транзисторів PNP і NPN. Перевівши мультиметр у режим перевірки діода (або аналогічний режим), можна виміряти падіння напруги між висновками транзистора, щоб визначити його тип. Конкретний метод полягає в наступному:
Підключіть червоний щуп (плюсовий полюс) мультиметра до одного з контактів транзистора, а чорний щуп (негативний полюс) до двох інших контактів послідовно. Спостерігайте за змінами показань мультиметра.
Для PNP-транзисторів, коли чорний щуп торкається емітера, а червоний щуп – бази, мультиметр має відображати невелике падіння напруги прямого ходу (приблизно {{0}}.6 В до 0,7 В), що вказує на те, що емітер базове з’єднання знаходиться у зміщеному вперед стані. Коли чорний зонд торкається колектора, через стан зворотного зміщення базового з’єднання колектора показання мультиметра мають бути близькими до нескінченності.
Для NPN транзисторів ситуація протилежна. Коли червоний щуп торкається емітера, а чорний щуп торкається бази, мультиметр повинен відображати невелике падіння напруги прямого ходу; При контакті червоного щупа з колектором показання мультиметра також повинні бути близькі до нескінченності.
https://www.trrsemicon.com/transistor/pnp-transistor-2sa1020-to-92mod.html